风险提示:本平台信息来源于大数据及网络,包括AI及网友发布,内容不完全属实。仅供学习研究,不构成投资依据,请投资者注意风险,据此交易盈亏自负。

舆情图标 美银报告:存储行业投资转向,HBM降温价格分化藏回调风险

⚠️ 风险提示:本站内容来源于互联网,不代表平台观点,请独立判断和决策,市场有风险,据此操作风险自担。
报告核心:存储行业投资逻辑正从“AI狂热”转向“结构性分化”美银(BofA)这份于2026年4月发布的周报指出,全球存储行业正出现关键趋势转变。一、HBM热度降温,资本重回传统存储存储芯片制造商对高带宽内存(HBM)的扩产热情显著下降,原因有三:利润率对比:传统DRAM(尤其是LPDDR5)的盈利能力已反超HBM。订单增长放缓:下一代HBM4的订单增长略有放缓。技术路径变化:AI推理越来越多地使用 ...

报告核心:存储行业投资逻辑正从“AI狂热”转向“结构性分化”

美银(BofA)这份于2026年4月发布的周报指出,全球存储行业正出现关键趋势转变。

一、HBM热度降温,资本重回传统存储

存储芯片制造商对高带宽内存(HBM)的扩产热情显著下降,原因有三:

  1. 利润率对比:传统DRAM(尤其是LPDDR5)的盈利能力已反超HBM
  2. 订单增长放缓:下一代HBM4的订单增长略有放缓
  3. 技术路径变化:AI推理越来越多地使用基于NAND闪存的KV缓存,降低了对HBM的绝对依赖。
  4. 因此,部分原计划用于HBM的资本支出,正被重新分配到利润更丰厚的传统DRAM和NAND产能上。同时,由于现货价格持续上涨,厂商对签订可能锁定利润上限的长期协议(LTA)兴趣减弱。

二、价格分化显著,高位回调风险累积

市场出现明显分化:DDR4因价格溢价过高,现货价单周暴跌5-8%,需求疲软;而DDR5凭借更高规格和更低价格保持稳定,正加速成为主流。NAND价格则处于历史异常高位,报告明确警告其价格“异常高”,预计2026年下半年有大幅回调压力。当前DRAM/NAND价格均处于25年来最高水平,需警惕周期拐点。

风险提示:本平台信息来源于大数据及网络,包括AI及网友发布,内容不完全属实。仅供学习研究,不构成投资依据,请投资者注意风险,据此交易盈亏自负。