消息称，中国闪存制造商长江存储计划进军DRAM 市场
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•长江存储正在开发一种称为硅通孔的先进芯片封装技术
• 长江存储武汉新工厂或将生产 DRAM芯片
北京9月25日据三位知情人士透露，中国最大的闪存芯片制造商长江存储科技股份有限公司 （YMTC）正计划扩大 DRAM芯片制造业务，包括用于制造人工智能芯片组的高级版本。
在美国去年12月扩大出口管制以限制北京获取高带宽存储器（HBM）（一种用于制造人工智能芯片组的DRAM 专用形式）之后，这家国有芯片制造商的举动凸显了中国日益迫切地需要提高其制造先进芯片的能力。
业内人士和分析师表示，这一限制使得 HBM芯片的供应对于中国庞大的人工智能芯片行业来说变得更加紧迫，华为和字节跳动等科技巨头正在开发自己的人工智能芯片。
两位知情人士表示，长江存储正在开发一种称为硅通孔（TSV）的先进芯片封装技术，该技术用于堆叠动态随机存取存储器（DRAM）以生产HBM 芯片。
由于信息尚未公开，他们拒绝透露姓名。
HBM 芯片主要由美国美光公司 MU.O、韩国SK海力士000660.KS 和三星电子
005930.K5 生产，并用于制造 Nvidia NVDA.O 和 AMD AMD.O 等公司销售的AI芯片组。
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