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磷化铟材料崛起,国产替代加速引爆光芯片产业链

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一、核心变化与产业影响磷化铟(InP)作为800G/1.6T光模块核心衬底材料,战略地位空前提升,国产替代进入加速兑现期。美股光通信龙头AXT三个月暴涨14倍,连续两日大涨44%创历史新高,直接催化市场对磷化铟供应链安全与稀缺性的高度关注。AXT是全球少数具备6英寸磷化铟单晶量产能力的厂商,其股价飙升反映AI驱动下高端光芯片材料需求爆发,且供给高度集中于美日(住友电工、AXT合计占全球90%以上份 ...

一、核心变化与产业影响

磷化铟(InP)作为800G/1.6T光模块核心衬底材料,战略地位空前提升,国产替代进入加速兑现期。

美股光通信龙头AXT三个月暴涨14倍,连续两日大涨44%创历史新高,直接催化市场对磷化铟供应链安全与稀缺性的高度关注。AXT是全球少数具备6英寸磷化铟单晶量产能力的厂商,其股价飙升反映AI驱动下高端光芯片材料需求爆发,且供给高度集中于美日(住友电工、AXT合计占全球90%以上份额)。

磷化铟成为1.6T光模块“卡脖子”环节

在EML(电吸收调制激光器)方案中,磷化铟是制造DFB/EML激光器外延片的唯一可行衬底。1.6T模块因通道数翻倍、速率提升,单模块磷化铟用量达800G的2–3倍。机构预测,2025年全球磷化铟衬底市场规模将超50亿元,2026年随1.6T放量有望突破80亿元,但国产化率仍不足5%,替代空间巨大。

国内6英寸InP衬底实现全链路突破

云南锗业子公司已成功拉制6英寸磷化铟单晶,并完成设备+工艺+检测全链路国产化,成为国内唯一具备6英寸InP衬底量产能力的企业。凯德石英深度绑定AXT,为其提供高纯石英坩埚等关键耗材;跃岭股份通过参股或技术合作切入衬底加工环节,形成协同布局。

行业逻辑从“材料可选”转向“产能刚性约束”

磷化铟晶体生长难度极高(熔点高、易分解、位错控制难),扩产周期长达18–24个月,且良率爬坡缓慢。在1.6T光模块需求指数级增长背景下,衬底将成为制约光模块交付的关键瓶颈,具备量产能力的企业将享有强定价权与超额利润

二、重点受益方向与核心A股标的梳理

▶ 磷化铟衬底核心企业(直接受益于材料国产化与产能稀缺)

云南锗业国内唯一实现6英寸磷化铟衬底全链路国产化的企业,子公司具备单晶生长、切磨抛、外延验证能力,已送样中际旭创、源杰科技等头部客户。

凯德石英深度绑定AXT,为其供应高纯石英坩埚、反应腔部件等关键耗材,AXT扩产直接拉动订单增长;同时布局磷化铟晶体生长配套石英器件,切入国产供应链。

跃岭股份:通过技术合作或参股方式参与磷化铟衬底后道加工(如研磨、抛光、清洗),产品用于光芯片制造,受益于国产替代提速。

▶ 协同延伸环节(激光器芯片、光模块、设备材料)

源杰科技国内领先高速光芯片设计企业,25G DFB已量产,50G EML正在研发,磷化铟外延片为其核心原材料,国产衬底突破将显著降低其成本与供应链风险。

长光华芯:高功率磷化铟基激光器芯片供应商,技术覆盖通信与传感领域,衬底自给或外购均受益于材料生态完善。

仕佳光子:虽以硅光和PLC为主,但正布局InP基光子集成,未来或导入磷化铟平台。

北方华创单晶炉、退火设备可用于化合物半导体生长,具备磷化铟设备开发潜力。

晶盛机电:碳化硅设备技术可迁移至磷化铟晶体生长炉研发,已启动化合物半导体装备布局。

安集科技:抛光液用于磷化铟衬底CMP工艺,材料验证持续推进。

菲利华:高纯合成石英材料可用于磷化铟生长坩埚,技术储备深厚。

▶ 北交所及潜在标的

中航泰达:虽主营环保,但部分高温材料可用于晶体生长辅助系统。

吉林碳谷:碳纤维制品或用于单晶炉热场结构,间接支撑设备制造。

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