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2026年开年首日AI芯片股强势领涨,台积电、三星创新高点燃市场热情

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2026年首个交易日,AI芯片供应链股票在全球市场表现抢眼,在美股大盘走势分化的背景下逆市走强,成为市场焦点。台积电与三星电子双双刷新股价纪录,带动亚洲主要股指攀升,彰显了市场对人工智能基础设施投资的持续乐观情绪。全球市场表现分化,AI板块独立走强1月2日,台积电在美股和台股市场双双创下历史新高,三星电子韩股更是大涨7.2%,刷新收盘纪录。韩国首尔综合指数收涨2.3%,历史上首次突破4300点大关 ...

2026年首个交易日,AI芯片供应链股票在全球市场表现抢眼,在美股大盘走势分化的背景下逆市走强,成为市场焦点。台积电与三星电子双双刷新股价纪录,带动亚洲主要股指攀升,彰显了市场对人工智能基础设施投资的持续乐观情绪。

全球市场表现分化,AI板块独立走强

1月2日,台积电在美股和台股市场双双创下历史新高,三星电子韩股更是大涨7.2%,刷新收盘纪录。韩国首尔综合指数收涨2.3%,历史上首次突破4300点大关,主要受三星电子HBM4业务获客户认可的消息提振。

与此同时,美国股市表现相对平淡——纳斯达克指数当日小幅收跌,标普500指数微涨,凸显了AI相关股票的独立行情。除了台积电和三星电子,多只AI相关股票也录得显著涨幅,包括Sandisk、美光、西部数据、英特尔和Constellation Energy等。英伟达、博通等万亿美元市值科技公司同样出现上涨。

台积电2nm制程如期量产,技术领先优势稳固

台积电在此轮涨势中受益于双重利好消息:2nm制程量产兑现及AI芯片需求激增。公司日前在官网宣布,其2nm制程(N2)技术已按计划于2025年第四季度投入量产,标志着全球半导体行业正式迈入2nm时代。

这一突破性技术采用第一代纳米片晶体管架构,相比N3E工艺,在同等功耗下性能提升10%-15%,在同等速度下功耗降低25%-30%。N2工艺采用环栅纳米片晶体管技术,突破了此前FinFET架构在3nm节点面临的物理极限,大幅降低漏电并提升晶体管密度。

台积电CEO魏哲家在十月财报会议上表示,N2进展顺利且良率良好,预计2026年在智能手机和高性能计算、AI应用推动下实现更快产能爬坡。公司正采取罕见的高雄晶圆二十二厂和新竹晶圆二十厂“双线作战”策略,同时服务手机芯片和AI服务器芯片两条产品线。

据路透社报道,英伟达已向台积电追加H200芯片订单,预计生产工作将于2026年第二季度启动,进一步印证了AI芯片需求的强劲势头。

三星电子HBM4获突破,重返竞争轨道

三星电子周五的强劲表现主要受公司HBM4业务获得客户积极评价的消息提振。三星电子联席CEO全永铉在新年致辞中透露,公司的HBM4产品已展示出“差异化的竞争力”,并赢得客户“三星回来了”的高度评价。

这一表态极大提振了投资者信心,市场预期三星正逐步缩小此前在高带宽内存市场与SK海力士的差距,并有望在2026年凭借下一代HBM产品重新进入英伟达的核心供应链。此次股价大涨也得益于亚洲科技股的整体共振及行业基本面的强力支撑。

宏观数据进一步印证了半导体行业的繁荣景象:韩国12月半导体出口同比激增43%,凸显了三星、SK海力士在全球AI硬件供应链中的关键地位。

分析师普遍看好2026年AI芯片前景

华尔街分析师普遍对AI芯片供应链在2026年的表现持乐观态度。伯恩斯坦(Bernstein)将台积电列为首选股,认为其在质量、风险和估值方面具有优势。该行指出,在没有有意义的挑战者的情况下,台积电是AI芯片的实际生产商,因此是AI增长的主要受益者之一。

伯恩斯坦预计AI和台积电在先进技术方面的领导地位将推动公司2026年营收增长23%,2027年增长20%。该行还表示,更温和的汇率环境和更好的成本控制将减轻海外生产的成本负担。

摩根士丹利则强调:2026年存储器市场正在收紧而非放松。该行认为制造约束与更强需求相碰撞,并将2026年DRAM平均价格预期上调62%,NAND上调75%。受H200芯片需求激增影响,该行不再预期HBM3E平均价格下降,并大幅上调美光盈利预期,将2026年和2027年每股收益预期分别上调56%和63%。

德意志银行全球宏观研究主管Jim Reid表示,持续的全球增长、AI潜力的乐观情绪以及央行降息,将继续推动金融资产表现。随着AI技术从训练转向更广泛的应用部署,2026年有望成为AI基础设施投资的关键一年,半导体行业作为其硬件基础,预计将持续受益于这一长期增长趋势。

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