碳化硅引领AI芯片新趋势：CoWoS选择SiC，市场空间翻倍在即！
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【SiC】为什么CoWoS选择碳化硅根据产业封装、衬底调研，基于热导率、可行性等多种因素考虑，未来高功率AI芯片的CoWoS选择SiC作为中介层（interposer）基本已为主要的可行方案。热导率领先当前可量产材料SiC 300~490W/（m·K）；硅约 150W/（m·K）；玻璃约 1W/（m·K）。金刚石热导系数更高，但实际量产难度过大。为什么热导率重要目前向上传热已有液冷等多种方式进一步 ...
【SiC】为什么CoWoS选择碳化硅
根据产业封装、衬底调研，基于热导率、可行性等多种因素考虑，未来高功率AI芯片的CoWoS选择SiC作为中介层（interposer）基本已为主要的可行方案。
热导率领先当前可量产材料
SiC 300~490W/（m·K）；
硅约 150W/（m·K）；玻璃约 1W/（m·K）。金刚石热导系数更高，但实际量产难度过大。
为什么热导率重要
目前向上传热已有液冷等多种方式进一步解决，但向下传热始终是难题，热量容易在局部堆积。
根据公开信息和KAIST，以单die维度，H100单位面积功率约0.86w/mm²，Rubin 约1w/mm²，下一代Feynman约1.2w/mm²。
伴随着多die和更多HBM的设计，热传导的压力进一步加大，因此热导率变得更加关键。
可行性上更为领先
SiC的难点目前在于12吋衬底，大规模量产还需要一定时间。
从导热、应力、量产化等多个角度看，其他方案目前看来还达不到理论上完全可行，而SiC方案已经在安排12吋衬底的送样，主要等SiC的12吋产业化，目前看其他环节没有太多阻碍。
行业正加快重视相关布局
SiC做interposer从两三年前开始研发，近期推动送样测试。
近期发酵也利于快速推动12吋的产业化，因为一旦大规模使用，目前12吋的产能缺口是巨大的。
部分衬底厂接到了不少客户关于这方面的问询，对于这个巨大的增量，产业链正积极推进。
从产业端、行业媒体等多维度都在肯定SiC作为未来CoWoS的重要增量，按此前测算，仅T的CoWoS增量就有望超越车规市场，SiC市场空间有望翻倍，重点关注！
基于“12吋衬底是核心瓶颈，设备先行，拥有技术领先的衬底厂最受益”的逻辑，对企业进行优先级排序：
总结与核心逻辑链：
- 最核心环节：12英寸高质量SiC衬底是实现的基石。谁能源源不断地生产出低缺陷、大尺寸的衬底，谁就掌握了话语权。因此，天岳先进、三安光电等衬底厂商的技术进展是关键跟踪指标。
- 最确定性受益：无论最终哪家衬底厂胜出，它们要扩产都必须先购买长晶炉。因此，晶升股份、晶盛机电作为设备商，受益最为确定，是“卖水人”。
- 新进入者与追赶者：露笑科技、东尼电子作为衬底领域的重要参与者，虽然目前技术水平和规模可能与龙头存在差距，但同样致力于研发和技术突破，有望受益于行业整体的需求爆发和技术升级，属于高弹性企业。
- 需要理性看待：器件厂商（如闻泰科技）和应用端厂商（如阳光电源）与此场景的直接关联度较低，更多是板块情绪带动。
重要风险提示
- 技术验证与量产时间表：“大规模量产还需要一定时间”。目前处于送样测试阶段，距离2027年大规模应用仍有一段距离，期间存在技术路线变动或延迟的风险。
- 12吋衬底良率与成本：这是产业化的核心挑战。12吋SiC的良率提升速度能否跟上需求，以及最终成本能否被封装厂接受，是决定其能否大规模推广的关键。
- 产业链竞争：国际巨头（如Wolfspeed、Coherent）也在积极研发12吋衬底，未来市场竞争格局存在不确定性。
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